抛物型GaAs/AlGaAs量子阱中栅控自旋-轨道相互作用
介观与纳米尺度物理
2009-07-14 v2
摘要
我们通过时间分辨Kerr旋转监测漂移电子的自旋进动频率，研究了具有前栅和背栅电极的二维电子气中自旋-轨道相互作用的可调性。Rashba自旋分裂可以通过栅极偏压进行调控，而我们发现Dresselhaus分裂很小且仅微弱依赖于栅极电压。我们确定了这两个分量的绝对值和符号，并证明当Rashba自旋分裂为零时，自旋退相速率的各向异性消失。
引用
@article{arxiv.0903.0920,
title = {Gate-controlled spin-orbit interaction in a parabolic GaAs/AlGaAs quantum well},
author = {M. Studer and G. Salis and K. Ensslin and D. C. Driscoll and A. C. Gossard},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.0920},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures