通过工程化抵消自旋轨道耦合项抑制GaAs线中二维和体电子的自旋退相
介观与纳米尺度物理
2010-04-16 v2
摘要
我们报告了在刻蚀于GaAs/AlGaAs异质结系统中的线中准一维电子系综的自旋退相抑制研究。时间分辨的Kerr旋转测量显示，沿[110]晶向的线中抑制最为显著。这是当Rashba和Dresselhaus贡献被工程化设计以相互抵消时，由于自旋轨道场中强各向异性而增强的抑制特征。一个令人惊讶的观察结果是，这种抑制自旋退相的机制不仅对异质结量子阱中的电子有效，而且对更深体层中的电子也有效。
引用
@article{arxiv.0910.2336,
title = {Suppressed spin dephasing for 2D and bulk electrons in GaAs wires due to engineered cancellation of spin-orbit interaction terms},
author = {S. Z. Denega and T. Last and J. Liu and A. Slachter and P. J. Rizo and P. H. M. van Loosdrecht and B. J. van Wees and D. Reuter and A. D. Wieck and C. H. van der Wal},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2336},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 3 figures