GaAs中双电子自旋量子比特退相干的四极与各向异性效应
介观与纳米尺度物理
2016-05-04 v1 量子物理
摘要
理解半导体中电子自旋由于与核自旋相互作用而产生的退相干，不仅因为它们实现了中心自旋模型而具有基础研究意义，也对将电子自旋用作量子比特具有重要的实际意义。核自旋与电场梯度的四极相互作用引发了有趣的效应，已证明该相互作用能抑制扩散性核自旋动力学。因此，人们可能会预期它们能增强电子自旋相干性。在此，我们通过实验证明，对于栅极定义的GaAs量子点，核Larmor进动的四极增宽也会由于横向核场的更快解相关而降低电子自旋相干性。然而，对于适当的场方向，这种效应可以被消除。此外，我们观察到自旋相干性的额外调制，这可归因于各向异性的电子 张量。这些结果完善了我们对栅控量子点中退相干的理解，并指出了相应的缓解策略。它们也可能有助于解释相关系统中未被解释的行为，例如自组装量子点和III-V纳米线。
引用
@article{arxiv.1508.05136,
title = {Quadrupolar and anisotropy effects on dephasing in two-electron spin qubits in GaAs},
author = {Tim Botzem and Robert P. G. McNeil and Dieter Schuh and Dominique Bougeard and Hendrik Bluhm},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.05136},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures