对称GaAs量子点中空穴与核自旋的超精细耦合
介观与纳米尺度物理
2016-09-14 v1
摘要
在自组装III-V半导体量子点中，价带空穴的自旋相干时间比导带电子更长，这归因于它们与核自旋浴涨落的耦合较弱。延长空穴自旋稳定性依赖于更好地理解空穴与核自旋的超精细耦合，我们在对称(111) GaAs/AlGaAs液滴量子点中通过实验和理论对此进行了研究。在沿生长轴施加的磁场中，我们通过带正电的三重态X的塞曼和Overhauser分裂检测到强核自旋极化。观察到四条清晰分辨的光致发光谱线——(111)纳米系统的一个独特性质——使我们能够分别测量电子和空穴对Overhauser位移的贡献。发现空穴的超精细相互作用比电子弱约五倍。我们的理论表明，该比率不仅取决于本征材料性质，还取决于通过点形状和载流子约束的重空穴混合，从而提供了通过调节量子点尺寸和形状来设计空穴-核自旋相互作用的机会。
引用
@article{arxiv.1603.02909,
title = {Hyperfine coupling of hole and nuclear spins in symmetric GaAs quantum dots},
author = {M. Vidal and M. V. Durnev and L. Bouet and T. Amand and M. M. Glazov and E. L. Ivchenko and P. Zhou and G. Wang and T. Mano and T. Kuroda and X. Marie and K. Sakoda and B. Urbaszek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.02909},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 2 figures, supplement