通过将自旋量子比特作为控制其核自旋浴的反馈回路来增强其相干性

在许多电子自旋量子比特的实现中，退相干的主要来源是宿主材料中涨落的核自旋浴。该浴的缓慢性使其适合一种有前景的缓解策略，即通过抑制涨落将核自旋浴制备到窄化状态。在这里，该方法在一个 GaAs 双量子点中的两电子自旋量子比特上得以实现，并展示了非均匀退相位时间 $T_2^*$ 接近十倍的增加。在连续测量之间，浴的制备通过将量子比特用作反馈回路来完成，该回路首先通过相干进动测量其核环境，然后根据最终状态对其进行极化。该过程在两个量子点之间产生一个稳定的非零极化梯度固定点，从而实现快速通用量子比特控制。