半导体量子阱中自旋弛豫各向异性的观测
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1 无序系统与神经网络
摘要
通过 Hanle 效应测量了非对称 (001) AlGaAs 量子阱中二维电子的自旋弛豫。提取了沿 [110]、[1-10] 和 [001] 晶向取向自旋的三种不同自旋弛豫时间，证明了 D'yakonov-Perel' 自旋弛豫机制的各向异性。描述半导体量子阱结构中自旋轨道耦合的 Rashba 和 Dresselhaus 项的相对强度。结果表明，在所研究的结构中，Rashba 自旋轨道劈裂大约是 Dresselhaus 劈裂的四倍。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601252,
title = {Observation of Spin Relaxation Anisotropy in Semiconductor Quantum Wells},
author = {N. S. Averkiev and L. E. Golub and A. S. Gurevich and V. P. Evtikhiev and V. P. Kochereshko and A. V. Platonov and A. S. Shkolnik and Yu. P. Efimov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601252},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures