GaAs量子阱中电子自旋弛豫的全电学控制
材料科学
2015-05-28 v1
摘要
本文通过时间分辨光致发光光谱研究了 (111) 取向 GaAs/AlGaAs 量子阱中的电子自旋动力学。通过施加 50 kV/cm 的外电场，可以观察到自旋弛豫时间增加两个数量级，达到大于 30 ns 的值；这是自旋轨道导带分裂电场调谐的结果，当 Rashba 项精确补偿 Dresselhaus 项时，该分裂几乎可以消失。横向磁场下的测量表明，三个空间方向的电子自旋弛豫时间可以随外加电场同时被调节。
引用
@article{arxiv.1107.5642,
title = {Full Electrical Control of the Electron Spin Relaxation in GaAs Quantum Wells},
author = {A. Balocchi and Q. H. Duong and P. Renucci and B. Liu and C. Fontaine and T. Amand and D. Lagarde and X. Marie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.5642},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 2 figures