n掺杂量子阱中电子自旋弛豫理论
介观与纳米尺度物理
2012-05-02 v2 其他凝聚态物理
摘要
最近的实验在均匀n掺杂量子阱中展示了长自旋寿命。激子、局域化和传导自旋的自旋动力学对于理解这些系统至关重要。我们通过引入所有自旋种类之间的自旋交换来解释实验行为。通过这样做，我们定量和定性地解释了(110)-GaAs量子阱中显著且不寻常的温度依赖性。我们讨论了解决相关局域化自旋弛豫机制的未来可能实验。此外，我们的分析使我们能够提出可能优化GaAs和CdTe量子阱中自旋弛豫时间的实验方案。
引用
@article{arxiv.0911.2452,
title = {Theory of Electron Spin Relaxation in n-Doped Quantum Wells},
author = {N. J. Harmon and W. O. Putikka and R. Joynt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.2452},
year = {2012}
}
备注
Small corrections made. Accepted to Phys. Rev. B. 8 pages, 5 figures