(110)取向量子阱中传导电子的自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v2 材料科学
摘要
针对生长在(110)取向衬底上的闪锌矿型量子阱，发展了传导电子自旋弛豫的理论。研究表明，在非对称结构中，初始沿生长方向取向的电子自旋的弛豫由两个不同的寿命表征，并导致面内自旋分量的出现。面内分量的大小和符号由量子阱的结构反演不对称性决定，并可通过栅极电压进行调控。在外磁场中，载流子的回旋运动与电子自旋的拉莫尔进动之间的相互作用可导致自旋密度对磁场的非单调依赖。
引用
@article{arxiv.0907.5556,
title = {Spin relaxation of conduction electrons in (110)-grown quantum wells},
author = {S. A. Tarasenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.5556},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures