Bulk 和 Quantum Well 锌盆结构半导体中的电子自旋去相干
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
我们发展了一种基于非扰动纳米结构模型（在十四能级受限基底集合中求解）的理论，用于描述锌盆结构半导体量子井中纵向（T1）和横向（T2）电子自旋相干时间。与以前的计算结果不同，我们发现相干时间对迁移率、量化能和温度的依赖性差异显著。我们计算得到的量化结果与 GaAs/AlGaAs、InGaAs/InP 和 GaSb/AlSb 量子井的实验测量值一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0004461,
title = {Electron Spin Decoherence in Bulk and Quantum Well Zincblende Semiconductors},
author = {Wayne H. Lau and J. T. Olesberg and Michael E. Flatte'},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004461},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 3 figures