量子点中电子自旋相干性的非线性光谱学理论

我们从理论上研究了掺杂单个电子的半导体量子点在非线性光谱学中电子自旋相干性的产生和检测。在三阶微分透射光谱中，简并泵浦和探测频率处超窄峰的逆宽度给出自旋弛豫时间($T_1$)，而Stokes和anti-Stokes自旋共振的逆宽度给出由非均匀展宽引起的有效自旋退相时间($T_2^*$)。排除非均匀展宽效应的自旋退相时间($T_2$)通过五阶微分透射光谱中超窄烧孔共振的逆宽度来测量。