具有应变诱导核色散的InGaAs量子点中电子自旋相干的内在极限
量子物理
2015-12-14 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
受限在自组装量子点中的单个电子的塞曼分裂自旋态提供了一种光学可访问的自旋量子比特。对于III-V族材料，固态宿主的核自旋提供了本征噪声源，导致电子自旋退相干时间为几纳秒。尽管最近已经对低磁场下的电子自旋动力学进行了全面研究，但这些系统中限制电子相干性的因素仍不清楚，部分是由于测量诱导的核浴动态极化的主导效应。我们开发了一种全光学方法，可在不扰动核环境的情况下访问量子点自旋态。我们使用该方法实现Hahn-echo去耦，并达到由不均匀应变场耦合到核浴四极矩所设定的相干性内在极限。这些结果表明，要将电子自旋相干性扩展到这个几微秒极限之外，需要减少这些材料中应变诱导的四极展宽。
引用
@article{arxiv.1512.01811,
title = {Intrinsic limit to electron spin coherence in InGaAs quantum dots featuring strain-induced nuclear dispersion},
author = {R. Stockill and C. Le Gall and C. Matthiesen and L. Huthmacher and E. Clarke and Maxime Hugues and M. Atature},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01811},
year = {2015}
}
备注
Supplementary material can be found in the publications section of our website: http://www.amop.phy.cam.ac.uk/amop-ma