单电荷(In,Ga)As/GaAs量子点中自旋相干性的光学控制
光学
2009-11-11 v1
摘要
在平均每个量子点包含一个电子的n型调制掺杂(In,Ga)As/GaAs量子点中，通过光学方法产生了电子自旋相干性。该相干性源于圆偏振激光脉冲对量子点的共振激发，产生电子和trion态的相干叠加。利用时间分辨法拉第旋转来探测光学取向电子在横向磁场中的自旋进动。自旋相干性的产生可以通过脉冲强度来控制，对于(2n+1)π脉冲最为有效。
引用
@article{arxiv.physics/0603020,
title = {Optical control of spin coherence in singly charged (In,Ga)As/GaAs quantum dots},
author = {A. Greilich and R. Oulton and E. A. Zhukov and I. A. Yugova and D. R. Yakovlev and M. Bayer and A. Shabaev and Al. L. Efros and I. A. Merkulov and V. Stavarache and D. Reuter and A. Wieck},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0603020},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures