InGaAs中线性偏振光对电子自旋取向的二维光学控制
材料科学
2010-12-09 v1
摘要
众所周知，圆偏振光的光吸收可以在直接带隙半导体中产生电子自旋极化。我们证明，在InGaAs中，通过吸收线性偏振光甚至可以高效地产生电子自旋。通过改变入射线性偏振方向，我们可以选择性地在极向和横向两个方向上激发自旋。利用时间分辨法拉第旋转，可以通过自旋进动过程中的相位来识别这些方向。我们表明，自旋取向不依赖于晶轴，这表明存在一种外在的激发机制。
引用
@article{arxiv.1008.0157,
title = {Two-dimensional optical control of electron spin orientation by linearly polarized light in InGaAs},
author = {K. Schmalbuch and S. Göbbels and Ph. Schäfers and Ch. Rodenbücher and P. Schlammes and Th. Schäpers and M. Lepsa and G. Güntherodt and B. Beschoten},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0157},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures