利用扫描 Kerr 显微镜成像受电、磁和应变场下半导体中的自旋流动
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
利用扫描 Kerr 显微镜，我们直接获取了在 n:GaAs Bulk 层中沿横向方向流动的自旋偏极电子的二维图像。光学注入提供了局部直流偏极电子源，其随后的漂移和/或扩散可通过电场、磁场以及——尤其是——应变场进行控制。由受控沿 <110> 轴施加的单轴应力引起的自旋预cession 显示了电子自旋直接与应变张量剪切（非对角）分量之间的 k 线性自旋轨道耦合。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411461,
title = {Imaging spin flows in semiconductors subject to electric, magnetic, and strain fields},
author = {S. A. Crooker and D. L. Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411461},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 color figures