GaAs和InGaAs外延层中自旋轨道分裂的机械控制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
使用时间分辨Kerr旋转光谱作为泵浦-探测距离、电压和磁场的函数，测量了GaAs和InGaAs外延层中动量相关的自旋分裂能。样品的应变可以在低温恒温器中通过使用机械虎钳施加三点和四点弯曲来可重复地控制。我们发现自旋分裂的大小随施加的张力和电压线性增加。使用应变漂移扩散模型将测量的自旋轨道分裂的大小与样品中的应变量联系起来。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603775,
title = {Mechanical control of spin-orbit splitting in GaAs and InGaAs epilayers},
author = {V. Sih and H. Knotz and J. Stephens and V. R. Horowitz and A. C. Gossard and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603775},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 5 figures