利用磁光 Kerr 效应定量检测 GaAs 中电注入的自旋积累
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
利用超灵敏的磁光 Kerr 旋转装置，我们观察到了从 (Zn,Mn)Se 到 GaAs 体材料的电自旋注入，并量化了自旋注入效率。我们将电流诱导的贡献与可能的伪影仔细分离，并作为电压和外部磁场的函数进行了研究。我们的测量使我们能够估计出，在 0.7 V 反向偏压下，电注入到 GaAs 中的自旋浓度约为 0.4cm。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507575,
title = {Quantitative detection of electrically injected spin accumulation in GaAs using the magneto-optical Kerr effect},
author = {A. V. Kimel and A. Kirilyuk and P. Grabs and F. Lehmann and A. A. Tsvetkov and G. Schmidt and L. W. Molenkamp and Th. Rasing},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507575},
year = {2007}
}
备注
Submitted to PRL