自旋极化隧穿结与半导体界面处自旋积累的增强
材料科学
2011-10-05 v2
摘要
我们报告了在Co/AlO/GaAs界面上通过电检测进行的自旋注入实验。施加横向磁场会在界面处产生高达1.2 mV的大电压降ΔV，对应电流密度为0.34 nA·μm。这代表了自旋积累信号的显著增加，远高于通过铁磁体/半导体界面自旋注入的理论预测。这种增强与通过位于AlO/GaAs界面附近局域态的顺序隧穿过程一致。对于自旋极化载流子，这些态充当自旋寿命较长的积累层。一个考虑自旋寿命和载流子返回铁磁接触的逃逸隧穿时间的模型精确再现了实验结果。
引用
@article{arxiv.0810.4770,
title = {Enhancement of the Spin Accumulation at the Interface Between a Spin-Polarized Tunnel Junction and a Semiconductor},
author = {M. Tran and H. Jaffres and C. Deranlot and J. -M. George and A. Fert and A. Miard and A. Lemaitre},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.4770},
year = {2011}
}