持久光电导体 Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As 中的自旋输运与积累
材料科学
2014-03-05 v1
摘要
利用横向自旋输运器件，在高 Si 掺杂的 Al0.3Ga0.7As 中测量了电自旋输运和积累。持久光电导效应允许通过光掺杂原位调节沟道材料的有效载流子密度。在不同载流子密度下完成了 Hanle 效应测量，测量结果显示自旋寿命在纳秒量级，比体 GaAs 小一个数量级。这些测量表明，该方法可用于详细描述半导体在金属 - 绝缘体相变过程中自旋寿命如何依赖于载流子密度。
引用
@article{arxiv.1402.5566,
title = {Spin transport and accumulation in the persistent photoconductor Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As},
author = {Jennifer Misuraca and Joon-Il Kim and Jun Lu and Kangkang Meng and Lin Chen and Xuezhe Yu and Jianhua Zhao and Peng Xiong and Stephan von Molnár},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5566},
year = {2014}
}