GaAsBi 薄膜中的自旋寿命测量
介观与纳米尺度物理
2014-05-05 v2 材料科学
摘要
利用光致发光光谱和 Hanle 效应测量，研究了半导体合金 GaAsBi 中载流子自旋退相干和复合时间随温度和激发能量的变化。Hanle 效应测量显示，g 因子与有效自旋退相干时间的乘积 (gTs) 范围从 40 K 时的 0.8 ns 到 120 K 时的 0.1 ns。gTs 的温度依赖性提供了热激活效应的证据，该效应归因于低于 40 K 时空穴在单个 Bi 位点或 Bi 团簇位点的局域化。
引用
@article{arxiv.1211.2711,
title = {Spin lifetime measurements in GaAsBi thin films},
author = {Brennan Pursley and M. Luengo-Kovac and G. Vardar and R. S. Goldman and V. Sih},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.2711},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures