锗中的光学自旋取向与去极化
介观与纳米尺度物理
2021-03-16 v1
摘要
半导体中的光学自旋取向和去极化现象对于自旋光电子学的发展至关重要。本文利用基于锗 (Ge) 的自旋光电二极管，研究了锗在室温下 400-1550 nm 波长范围内的光学自旋取向光谱依赖性以及光载流子自旋弛豫现象。除了在光子能量与直接带隙共振 (1550 nm) 时光载流子自旋极化出现最大值外，我们还通过实验证明了在 530 nm 处存在第二个显著的峰值，这是由于在布里渊区中心以外的 L 谷中发生的光生载流子所致。此外，我们的数据表明，锗中空穴的等效自旋寿命约为 5-10 ps，这意味着室温下空穴的自旋扩散长度比预期更大，约为 150-220 nm。
引用
@article{arxiv.1302.4675,
title = {Optical spin orientation and depolarization in Ge},
author = {C. Rinaldi and M. Cantoni and R. Bertacco},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.4675},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 5 figures