硅上应变锗锡半导体的载流子与自旋相干动力学
材料科学
2019-01-16 v1
摘要
锗锡正作为一种展现出优异光子学特性的材料而出现。在此，我们展示了在这种引人注目的第四族半导体合金中自旋的光学初始化与读取，并报道了在外加磁场下塞曼分裂能级之间的自旋量子拍。我们的光学实验揭示了在宽温度范围内的稳健自旋取向，以及在室温下接近ns量级的持久自旋寿命。除了对非辐射复合路径的重要见解外，我们的发现揭示了直接在常规Si衬底上生长的新颖外延结构中的丰富自旋物理。这引入了一条可行途径，通过先进自旋电子学与光子学能力协同丰富第四族半导体工具箱。
引用
@article{arxiv.1710.05792,
title = {Carrier and Spin Coherent Dynamics in Strained Germanium-Tin Semiconductor on Silicon},
author = {Sebastiano De Cesari and Andrea Balocchi and Elisa Vitiello and Pedram Jahandar and Emanuele Grilli and Thierry Amand and Xavier Marie and Maksym Myronov and Fabio Pezzoli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.05792},
year = {2019}
}