铁电 {\alpha}-GeTe 与多铁 Ge1-xMnxTe 的自旋分辨电子结构
材料科学
2017-08-15 v1
摘要
碲化锗具有源于自旋轨道耦合和铁电晶格极化引起的对称性破缺的特殊自旋-电效应，这为电可调谐和可开关的自旋电子器件开辟了许多前景。通过对 {\alpha}-GeTe 主晶格进行 Mn 掺杂，该系统转变为具有磁电性质的多铁半导体，其中电极化、磁化和自旋纹理相互耦合。利用在体敏感和表面敏感能量范围内的自旋分辨和角分辨光电子能谱，并通过改变偶极跃迁矩阵元，我们解开了电子结构的体态、表面态和表面共振态，并确定了选定参数下的自旋纹理。根据我们的结果，我们推导出了一个符合实验数据和第一性原理理论预测的 {\alpha}-GeTe 表面电子结构综合模型，并讨论了在外部 B 场和 E 场操控下 Rashba 型自旋劈裂的非常规演化。
引用
@article{arxiv.1708.04104,
title = {Spin-resolved electronic structure of ferroelectric {\alpha}-GeTe and multiferroic Ge1-xMnxTe},
author = {J. Krempasky and M. Fanciulli and J. Minár and W. Khan and M. Muntwiler and F. Bertran and S. Muff and A. P. Weber and V. N. Strocov and V. V. Volobuiev and G. Springholz and J. H. Dil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.04104},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 7 figures, 1 ancillary file