碲化锗中自旋织构的铁电控制
材料科学
2021-03-16 v1
摘要
在没有磁场或辅助铁磁材料的情况下，对半导体中的自旋进行电学操控，是自旋电子学的圣杯。Rashba 效应的利用极具吸引力，因为依赖于 的自旋劈裂源于电场。迄今为止，仅利用了二维电子气（2DEG）中的微小效应。近期，有理论预测 GeTe 具有带巨 Rashba 劈裂的体能带，该劈裂由铁电极化引起的空间反演对称性破缺产生。在这项工作中，我们通过自旋和角分辨光电子能谱实验表明，具有向内或向外铁电极化的 GeTe(111) 表面在体 Rashba 能带中表现出相反的自旋循环方向。我们的结果首次在实验上证明了半导体中自旋织构的铁电控制，这是朝着在自旋电子器件中利用 GeTe 的非易失性电可切换自旋织构迈出的基础性里程碑。
引用
@article{arxiv.1707.07043,
title = {Ferroelectric control of the spin texture in germanium telluride},
author = {C. Rinaldi and S. Varotto and M. Asa and J. Slawinska and J. Fujii and G. Vinai and S. Cecchi and R. Calarco and I. Vobornik and G. Panaccione and S. Picozzi and R. Bertacco},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.07043},
year = {2021}
}
备注
18 pages, 4 figures