Fe/GeTe(111)异质结构作为通往基于'铁电Rashba半导体'的自旋电子学之路
材料科学
2019-07-10 v2
摘要
通过进行密度泛函理论(DFT)和格林函数计算,并辅以X射线光电子能谱,我们研究了Fe/GeTe(111)这一典型铁磁/Rashba铁电界面的电子结构。我们揭示出该系统展现出若干由交换相互作用、电极化和自旋轨道耦合的复杂相互作用所产生的引人入胜的性质。尽管Fe与GeTe能带之间存在相当强的界面杂化,导致后者的表面态被完全抑制,但体Rashba能带几乎不受铁磁覆盖层的影响。这可能对在该界面观察到的自旋相关现象(如自旋到电荷的相互转换)产生深远影响,这些现象很可能涉及体而非表面Rashba态。
引用
@article{arxiv.1809.00805,
title = {Fe/GeTe(111) heterostructures as an avenue towards 'ferroelectric Rashba semiconductors'-based spintronics},
author = {Jagoda Slawinska and Domenico Di Sante and Sara Varotto and Christian Rinaldi and Riccardo Bertacco and Silvia Picozzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.00805},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 4 figures