InSb/CdTe 异质结构界面局部检测增强的热电子散射
应用物理
2025-01-10 v1
摘要
InSb/CdTe 异质结结构具有低有效质量和高电子迁移率，表现出界面能带弯曲，导致Rashba 自旋轨道耦合效应和非互易传输，这使其适用于广泛应用于逻辑和存储领域的自旋电子器件。然而，由 III-V 族和 II-VI 族半导体组成的复杂 InSb/CdTe 异质结界面容易发生扩散。因此，表征和研究 InSb/CdTe 异质结的界面属性对于改进 InSb/CdTe 材料体系以及其在自旋电子学领域的应用至关重要。本研究应用一种新型扫描探针显微镜——扫描噪声显微镜，用于可视化 InSb/CdTe 纳米器件中的热电子散射。结果表明，近场信号源于嵌入层异质结界面带电离子对电子的库仑散射。这一对异质结界面属性进行的实时空间、无损表征为提高异质结性能提供了新工具。
引用
@article{arxiv.2501.05208,
title = {Local Detection of Enhanced Hot Electron Scattering in InSb/CdTe Heterostructure Interface},
author = {Xiaoxiao Ma and Zhenghang Zhi and Weijie Deng and Tianxin Li and Qianchun Weng and Xufeng Kou and Wei Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.05208},
year = {2025}
}