InSb纳米线上CdTe壳层的电子结构与外延
材料科学
2021-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
锑化铟（InSb）纳米线因其独特的性质（即强自旋轨道相互作用和大的Landé g因子）而被用作量子器件的构建模块。将InSb纳米线与其他材料集成有可能催生具有独特功能的新颖器件。一个突出的例子是将InSb纳米线与超导体结合用于新兴的拓扑粒子研究。在此，我们以核壳（InSb-CdTe）纳米线的形式将II-VI族碲化镉（CdTe）与III-V族InSb相结合，并基于InSb-CdTe界面的电子结构和CdTe在InSb纳米线上的外延探索潜在应用。我们利用密度泛函理论确定了InSb-CdTe界面的电子结构，并提取出具有小导带偏移（ 0.3 eV）的I型能带排列。这些结果表明这些壳层在表面钝化或作为与超导体结合的隧穿势垒方面的潜在应用。就这些壳层的结构质量而言，我们证明晶格匹配的CdTe可以在InSb纳米线上外延生长而无界面应变或缺陷。正如我们对无帽层和CdTe帽层纳米线测得的相近场效应迁移率所示，这些外延壳层不会给InSb纳米线引入无序。
引用
@article{arxiv.2111.05126,
title = {Electronic Structure and Epitaxy of CdTe Shells on InSb Nanowires},
author = {Ghada Badawy and Bomin Zhang and Tomáš Rauch and Jamo Momand and Sebastian Koelling and Jason Jung and Sasa Gazibegovic and Oussama Moutanabbir and Bart J. Kooi and Silvana Botti and Marcel A. Verheijen and Sergey M. Frolov and Erik P. A. M. Bakkers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.05126},
year = {2021}
}