InSb(111)上外延斯坦烯的带隙电子结构
材料科学
2018-01-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
斯坦烯（单层灰锡）具有类似于石墨烯的电子结构，但表现出大得多的自旋轨道能隙，为基于量子自旋霍尔（QSH）效应的室温电子学提供了有前景的平台。该材料已受到大量理论关注，但能生长出整体带隙电子结构的合适斯坦烯衬底一直难以获得；对于室温应用而言，可观的能隙是必需的。在此，我们报道了在锑化铟（InSb）的 (111)B 面外延生长斯坦烯的研究。角分辨光电子能谱（ARPES）测量揭示出 0.44 eV 的能隙，与我们的第一性原理计算一致。结果表明，InSb(111) 上的斯坦烯是电子学 QSH 应用的有力竞争者。
引用
@article{arxiv.1711.08523,
title = {Gapped Electronic Structure of Epitaxial Stanene on InSb(111)},
author = {Cai-Zhi Xu and Yang-Hao Chan and Peng Chen and Xiaoxiong Wang and David Flötotto and Joseph Andrew Hlevyack and Guang Bian and Sung-Kwan Mo and Mei-Yin Chou and Tai-Chang Chiang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.08523},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 4 figures