衬底上生长的锡烯中的大带隙量子自旋霍尔态
材料科学
2015-08-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维锡烯是实现室温量子自旋霍尔效应的有前景的候选材料。单层锡烯最近已通过分子束外延制备，但在BiTe(111)衬底上表现出金属特性，这促使我们研究衬底的重要影响。基于第一性原理计算，我们发现不同的衬底条件显著调控了锡烯的电子性质。受支撑的锡烯呈现出平庸态或量子自旋霍尔态，并伴有由反演不对称性引起的显著Rashba劈裂。更重要的是，当锡烯生长在多种衬底上时，例如SrTe、PbTe、BaSe和BaTe的阴离子截止(111)表面，可实现大带隙（高达0.3 eV）的量子自旋霍尔态。这些发现为锡烯和大带隙量子自旋霍尔态的未来研究提供了重要指导。
引用
@article{arxiv.1507.00419,
title = {Large-Gap Quantum Spin Hall States in Stanene Grown on Substrate},
author = {Yong Xu and Peizhe Tang and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.00419},
year = {2015}
}