实现具有绝缘带隙的外延锡烯
材料科学
2018-10-05 v2
摘要
锡烯是蜂窝晶格中单层 Sn 原子，被预测为具有宽禁带的二维（2D）拓扑绝缘体候选材料，并可在不同表面修饰下承载量子反常霍尔效应和拓扑超导等新奇拓扑物态。尽管研究投入巨大，人们仍无法获得体绝缘的锡烯样品——这是锡烯任何输运研究与应用的前提。本文中，我们利用 PbTe(111) 衬底实验实现了具有绝缘体能带隙的外延锡烯。通过低温分子束外延，我们能在 PbTe(111) 上生长单层锡烯。原位角分辨光电子能谱显示了锡烯的特征能带，其费米能级位于带隙中。在 PbTe 中掺杂 Sr 消除了位于锡烯带隙中的衬底态，从而得到真正体绝缘的锡烯样品。这一实验进展为基于锡烯的拓扑量子效应研究铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1711.07035,
title = {Realizing an Epitaxial Stanene with an Insulating Bandgap},
author = {Yunyi Zang and Tian Jiang and Yan Gong and Zhaoyong Guan and Menghan Liao and Zhe Li and Lili Wang and Wei Li and Canli Song and Ding Zhang and Yong Xu and Ke He and Xucun Ma and Shou-Cheng Zhang and Qi-Kun Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.07035},
year = {2018}
}
备注
17 pages, 9 figures