BaSn$_2$：一种新型宽禁带强拓扑绝缘体
材料科学
2017-02-22 v2
摘要
BaSn 已被证明形成为钡离子插层的屈曲锡烯（stanene）层~\cite{Kim_2008}。然而，尽管合成看似直接，且锡烯作为拓扑材料备受关注，BaSn 基本上未被探索，直到最近才被认定为潜在的拓扑绝缘体。它既不属于铅也不属于铋硫族化物家族，因此将代表拓扑绝缘相的一种独特表现。在此我们借助第一性原理（{\it ab initio}）和实验方法对 BaSn 进行了详细研究。第一性原理计算表明，这种被忽视的材料确实是一种强拓扑绝缘体，其体带隙为 360meV，在观测到的拓扑绝缘体中属于最大之列。我们表征了表面态对终止化学的依赖性，为实验测量和操纵其拓扑性质提供指导。此外，通过第一性原理建模和合成实验，我们探索了该相的稳定性和可及性，揭示出一幅复杂的相图，表明获得单晶的路径充满挑战。
引用
@article{arxiv.1607.05234,
title = {BaSn$_2$: A new, wide-gap, strong topological insulator},
author = {Steve M Young and S. Manni and Junping Shao and Paul C. Canfield and Aleksey N. Kolmogorov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05234},
year = {2017}
}