Sn掺杂Bi1.1Sb0.9Te2S：一种具有理想性质的块体拓扑绝缘体
强关联电子
2016-06-08 v1 材料科学
摘要
拓扑绝缘体研究中一个长期存在的问题是找到一种材料，能提供表征拓扑表面态的理想平台，且不受块体电子态干扰，并能够可靠地制备为块体晶体。该材料应是块体绝缘体，其表面态狄拉克点能量与块体价带和导带良好隔离，具有高表面态电子迁移率，并可生长为大型高质量块体单晶。本文表明，通过垂直布里奇曼法生长的轻度Sn掺杂Bi1.1Sb0.9Te2S（Sn-BSTS）晶体克服了该领域这一重大材料障碍，我们在此通过角分辨光电子能谱、扫描隧道显微镜、块体与表面态输运研究以及X射线衍射和拉曼散射对其进行了表征。我们提出这种新材料作为一种块体拓扑绝缘体，可在全球许多实验室中可靠地生长和研究。
引用
@article{arxiv.1508.03655,
title = {Sn-doped Bi1.1Sb0.9Te2S, a bulk topological insulator with ideal properties},
author = {S. K. Kushwaha and I. Pletikosić and T. Liang and A. Gyenis and S. H. Lapidus and Yao Tian and He Zhao and K. S. Burch and Huiwen Ji and A. V. Fedorov and Ali Yazdani and N. P. Ong and T. Valla and R. J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.03655},
year = {2016}
}
备注
21 pages, 5 figures