SnTe 类拓扑晶体绝缘体材料的电子性质
材料科学
2016-11-23 v1
摘要
近年来拓扑绝缘体的兴起，不仅在凝聚态物理的概念认知上开辟了新天地，也为电子器件的 promising 革命带来了希望。它也激发了对更多拓扑物态的探索。拓扑晶体绝缘体是一种新的拓扑相，它将电子拓扑与晶体对称性结合在一起。本文综述了 SnTe 类拓扑晶体绝缘体材料研究的最新进展。从体态拓扑、表面态计算和实验观测等方面的拓扑识别出发，我们介绍了在各种微扰下拓扑晶体绝缘体的电子性质，包括本征缺陷、化学掺杂、应变以及厚度相关的限制效应，随后讨论了其独特的量子输运性质，如 Dirac 费米子的谷选择性过滤和螺旋度分辨功能。丰富的性质和高可调性使 SnTe 类材料成为新型量子器件的有力候选者。
引用
@article{arxiv.1607.04743,
title = {Electronic properties of SnTe-class topological crystalline insulator materials},
author = {Jianfeng Wang and Na Wang and Huaqing Huang and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.04743},
year = {2016}
}
备注
15 pages, 15 figures, invited review