SnTe 中拓扑晶体绝缘体的实验实现
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
拓扑绝缘体实现了一种拓扑量子物态，其中受时间反演对称性保护的异常无间隙金属态出现在边缘或表面。它们的发现激发了对其他对称性保护的新拓扑态的搜索，最近的理论预测了“拓扑晶体绝缘体”(TCI) 的存在，其中金属表面态受晶体镜面对称性保护。然而，其实验验证尚未见报道。在此，我们展示了碲化锡 (SnTe) 中 TCI 相的首个确凿实验证据，SnTe 最近被预测为 TCI。我们的角分辨光电子能谱显示了清晰的金属狄拉克锥表面带特征，其狄拉克点略微偏离 SnTe 表面布里渊区的边缘。另一方面，在同类材料碲化铅 (PbTe) 中不存在这种无间隙表面态，这与理论预测一致。我们的结果确立了 TCI 相的存在，并为奇特的拓扑现象开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.1206.5399,
title = {Experimental realization of a topological crystalline insulator in SnTe},
author = {Y. Tanaka and Zhi Ren and T. Sato and K. Nakayama and S. Souma and T. Takahashi and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.5399},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 3 figures