拓扑晶体绝缘体中的邻近诱导超导性
超导电性
2020-01-08 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
超导拓扑晶体绝缘体（TCI）被预言会承载由晶体对称性保护的新拓扑相，但现有材料不足以适用于表面研究。为在典型 TCI SnTe 的表面诱导超导性，我们利用分子束外延生长了 SnTe 与高 Tc 超导体 Fe(Te,Se) 的异质结构，并使用“缓冲”层来弥合 SnTe 与 Fe(Te,Se) 之间的大晶格失配。利用低温扫描隧道显微镜与谱学，我们在 SnTe 表面测量到显著的谱隙，并通过其对温度和磁场的依赖性证明了其超导起源。我们的工作为在超导 TCI 中原子尺度研究涌现拓扑现象提供了新平台。
引用
@article{arxiv.1911.07798,
title = {Proximity-Induced Superconductivity in a Topological Crystalline Insulator},
author = {Bryan Rachmilowitz and He Zhao and Hong Li and Alex LaFleur and J. Schneeloch and Ruidan Zhong and Genda Gu and Ilija Zeljkovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.07798},
year = {2020}
}
备注
to appear in Physical Review B