在拓扑晶体绝缘体表面诱导磁性
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1
摘要
在拓扑晶体绝缘体（TCI）表面诱导磁性已被预测会导致若干新颖的量子电磁效应。这是此类对称保护体系的高度应变敏感能带拓扑的结果。因此我们展示，将 SnTe 的 TCI 表面与铁磁绝缘体 EuS 邻近放置，在 SnTe 与 EuS 界面处诱导磁性，从而打破 TCI 中的时间反演对称性。对 SnTe-EuS-SnTe 三层器件的磁输运实验揭示了 TCI 表面电阻的滞回降低，与磁畴壁密度增加相吻合。这一额外传导可能是畴壁内拓扑保护表面态的特征。此外，滞回反常霍尔效应揭示 EuS 层通常的面内磁矩在界面处倾向于垂直方向。这些结果证明了在 SnTe-EuS 界面诱导磁性导致 TCI 中时间反演对称性破缺。
引用
@article{arxiv.1504.06121,
title = {Inducing magnetism onto the surface of a topological crystalline insulator},
author = {Badih A. Assaf and Ferhat Katmis and Peng Wei and Cui-Zu Chang and Biswarup Satpati and Jagadeesh S. Moodera and Don Heiman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06121},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review B