altermagnetism诱导的表面 Chern 绝缘体
介观与纳米尺度物理
2025-10-20 v1 材料科学
摘要
我们提出了一种实现量化异常霍尔效应(QAHE)的新途径，通过将altermagnet与拓扑晶体绝缘体(TCI)耦合。前者在TCI的拓扑表面态中产生能隙，从而在近乎零磁化的可调平台上实现QAHE。我们通过研究TCI SnTe耦合至altermagnetic RuO2层的 slab结构验证了该方法的可行性。我们的第一性原理计算表明，RuO2中d型altermagnetism在SnTe(110)表面的拓扑表面态中引入7 meV能隙，产生有限的异常霍尔效应。该方法可推广至更广泛的altermagnetic材料与TCI体系，提供一族磁化小或可忽略不计、支持非平凡 Chern 数的拓扑altermagnetic异质结构。我们的结果揭示了具备优异可调性和自旋电子学应用潜力的新型拓扑平台。
引用
@article{arxiv.2510.15357,
title = {Altermagnetism induced surface Chern insulator},
author = {Xuance Jiang and Sayed Ali Akbar Ghorashi and Deyu Lu and Jennifer Cano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.15357},
year = {2025}
}