用 CrI3 单层使 Bi2Se3 的拓扑表面态磁化
介观与纳米尺度物理
2019-06-04 v2 材料科学
摘要
在不破坏拓扑绝缘体拓扑特征的前提下使其表面磁化，是实现量子反常霍尔效应（QAHE）的关键一步，且仍是一项富有挑战的任务。通过密度泛函计算，我们发现吸附二维范德瓦耳斯（2D-vdW）铁磁绝缘体 CrI3 单层，可在 Bi2Se3 薄膜拓扑表面态的狄拉克点处产生可观的自旋分裂。此外，通过模型分析建立了连接不同量子与拓扑参数的普适规则。本工作为在 2D-vdW 磁性单层与拓扑绝缘体的异质结中实现高温 QAHE 提供了有益指导。
引用
@article{arxiv.1802.07358,
title = {Magnetize Topological Surface States of Bi2Se3 with a CrI3 Monolayer},
author = {Yusheng Hou and Ruqian Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.07358},
year = {2019}
}
备注
title changed, some new discussion added, 4 figures