三维拓扑绝缘体/二维磁性范德瓦耳斯异质结中栅极可调的异常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2022-09-28 v1
摘要
我们展示了利用机械堆叠剥离的范德瓦耳斯材料制备的样品，可通过与相邻磁性层的相互作用来控制三维拓扑绝缘体(TI)的拓扑表面态的优势。我们使用剥离的TI BiSbTeSe2和磁性材料Cr2Ge2Te6薄片组装具有原始界面的双层结构，从而避免了自上而下沉积方法所制界面中可能出现的互扩散问题。样品表现出具有突变滞回开关特性的异常霍尔效应(AHE)。在由TI与独立铁磁层组成的样品中，我们首次证明AHE的幅度可通过栅极电压进行调控，并在狄拉克点附近出现强峰。这是由拓扑表面态与面外取向磁体相互作用诱导交换能隙相关的贝里曲率所引起的AHE的特征表现。
引用
@article{arxiv.2206.02537,
title = {Gate-tunable anomalous Hall effect in a 3D topological insulator/2D magnet van der Waals heterostructure},
author = {Vishakha Gupta and Rakshit Jain and Yafei Ren and Xiyue S. Zhang and Husain F. Alnaser and Amit Vashist and Vikram V. Deshpande and David A. Muller and Di Xiao and Taylor D. Sparks and Daniel C. Ralph},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.02537},
year = {2022}
}
备注
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