拓扑绝缘体 Ge2Bi2Te5 中的压力诱导超导性及Mn掺杂的演化
超导电性
2026-01-26 v1 强关联电子
摘要
在拓扑绝缘体（TI）中引入超导性（SC）或磁性可以产生新奇的量子态和奇异的物理现象。本文报告了对TI Ge2Bi2Te5及其Mn掺杂物的高压传输研究。应力引起Ge2Bi2Te5中的超导性，其呈抛物形相图，在23 GPa时Tc达到7.6 K。将Mn掺杂到Ge2Bi2Te5中可在常压下引入反亚磁性有序，并显著削弱压力诱导的超导性，表明磁性和超导性在该体系中相互竞争。本研究提供了一个新的平台，用于探讨带拓扑性、磁性和超导性之间的相互作用。
引用
@article{arxiv.2601.16831,
title = {Pressure-induced superconductivity in topological insulator Ge2Bi2Te5 and the evolution with Mn doping},
author = {Shangjie Tian and Qi Wang and Yuqing Cao and Ying Ma and Xiao Zhang and Yanpeng Qi and Hechang Lei and Shouguo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.16831},
year = {2026}
}
备注
8 pages, 4 figures, 1 table