揭示低体迁移率 In 掺杂 SnTe 超导纳米片中的表面态
介观与纳米尺度物理
2015-05-12 v2 材料科学
超导电性
摘要
拓扑晶体绝缘体 SnTe 中的铟 (In) 掺杂可诱导超导电性，使 In 掺杂 SnTe 成为拓扑超导体的候选材料。SnTe 纳米结构具有明确的纳米尺度形貌和高表面积体积比，有助于增强表面效应。在此，我们研究了 In 掺杂 SnTe 纳米片 InSnTe（ 范围为 0 至 0.1），并证实了其超导性。更重要的是，我们表明 In 掺杂降低了 InSnTe 的体迁移率，使得尽管体载流子密度很高，仍能在磁输运中观测到表面态。这表现为高磁场下的二维线性磁阻，且在高达 10 K 的温度范围内与温度无关。老化实验表明，该线性磁阻对环境条件敏感，进一步证实了其表面起源。我们还表明，在 InSnTe 纳米片中观察到的弱反局域化是一种体效应。因此，我们证明纳米结构和降低体迁移率是揭示表面态及检验拓扑超导体的有效策略。
引用
@article{arxiv.1410.4244,
title = {Revealing surface states in In-doped SnTe superconducting nanoplates with low bulk mobility},
author = {Jie Shen and Yujun Xie and Judy J. Cha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.4244},
year = {2015}
}