[Tl4]Tl1-xSnxTe3中的超导穹顶与向绝缘态的交叉
强关联电子
2015-02-26 v2 材料科学
摘要
报道了 [Tl4]Tl1-xSnxTe3 的结构、超导和电子相图。磁化与比热测量显示体超导存在于 0 < x < 0.4。电阻率测量表明从低掺杂的金属态到 x = 1 处掺杂绝缘体的交叉。普遍地，存在大的非德拜比热贡献，以爱因斯坦温度 {\theta}E ~ 35 K 表征。密度泛函理论计算预测 x = 0 为拓扑金属，而 x = 1 为拓扑晶体绝缘体。超导的消失与这些不同拓扑态之间的转变相关。
引用
@article{arxiv.1502.05059,
title = {Superconducting Dome and Crossover to an Insulating State in [Tl4]Tl1-xSnxTe3},
author = {K. E. Arpino and B. D. Wasser and T. M. McQueen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.05059},
year = {2015}
}
备注
Published in a special issue of APL Materials; version 2 is updated with post-publication copyright notice