掺杂拓扑绝缘体 Nb$_x$Bi$_2$Se$_3$ 中的稳健奇宇称超导性
超导电性
2017-09-27 v1
摘要
我们展示了质子辐照晶体的电阻率和磁化强度测量结果，表明掺杂拓扑超导体 NbBiSe（x = 0.25）的超导态对无序引起的电子散射具有惊人的稳健性。超导转变温度 随着缺陷浓度的增加而下降，没有饱和迹象，且相应的散射速率远超基于传统理论的预期。London 穿透深度的低温变化 遵循幂律（），表明存在对称性保护的点节点。我们的结果与该材料中提出的稳健向列态 配对态一致。
关键词
引用
@article{arxiv.1704.01225,
title = {Robust odd-parity superconductivity in the doped topological insulator Nb$_x$Bi$_2$Se$_3$},
author = {M. P. Smylie and K. Willa and H. Claus and A. Snezhko and I. Martin and W. -K. Kwok and Y. Qiu and Y. S. Hor and E. Bokari and P. Niraula and A. Kayani and V. Mishra and U. Welp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.01225},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 5 figures