拓扑晶体超导体 Sn0.5In0.5Te 的电磁性质
超导电性
2014-06-17 v2 强关联电子
摘要
我们报道了 In 掺杂 SnTe 的超导性质，该材料最近被探索为一种拓扑晶体超导体。Sn0.5In0.5Te 单晶通过改进的 Bridgman 法合成。在 1.6K 至 300K 范围内进行的电阻率测量显示其正常态为金属态，超导转变起始于 Tc = 4.5K。直流磁化强度、交流磁化率和射频穿透深度测量也证实了体超导性。零温上临界场、下临界场、相干长度和穿透深度估计分别为 1.6T、10Oe、143.5 {\AA} 和 832nm。低温穿透深度的温度依赖性表明其具有 S 波全能隙特征，BCS 能隙为 meV 量级。霍尔系数和塞贝克系数测量证实了空穴导电的主导地位，并在~45K 附近可能存在声子拖曳效应。在外加磁场下研究的电阻跃迁显示出热激活磁通流动行为。
引用
@article{arxiv.1406.2155,
title = {Electromagnetic Properties of Topological Crystalline Superconductor Sn0.5In0.5Te},
author = {V. K. Maurya and Shruti and P. Srivastava and S. Patnaik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.2155},
year = {2014}
}