掺铟碲化锡超导体中的反常散射

我们报道了成分为Sn$_{.988-x}$In$_x$Te（其中$0 \leq x \leq 8.4$）的掺铟碲化锡单晶的电阻率、霍尔效应、磁电阻、磁化率和热容测量结果，以及基于透射电子显微镜的微观结构分析。对于低铟浓度（$x \leq 0.9$），该材料在0.3 K以上不超导，其输运性质符合简单金属行为。对于$x \geq 2.7$，材料表现出反常的低温散射；对于$x \geq 6.1$，观察到体超导电性，临界温度接近2 K。中间铟浓度（$2.7$）在0.7 K以上未表现出体超导电性。磁化率数据表明不存在磁性杂质，而磁电阻数据与局域化效应不一致，由此得出结论：掺铟SnTe是一种电荷近藤系统候选材料，类似于掺铊PbTe。