Nb0.25Bi2Se3拓扑绝缘体单晶在2.5K以下的超导性
超导电性
2019-11-20 v1 材料科学
强关联电子
摘要
我们报道了Nb0.25Bi2Se3的晶体生长及其在2.5K以下的超导性。这些晶体采用自熔剂法生长。生长晶体薄片的X射线衍射（XRD）图谱显示（00l）晶面（c轴取向）生长。粉碎晶体粉末XRD（PXRD）图谱的Rietveld精修确认了所研究样品的相纯度，其具有菱方晶体结构的R-3m空间群。所研究的Nb0.25Bi2Se3晶体的拉曼光谱明显显示出三个明确的振动模式，分别为约72、129和173cm-1处的A11g、Eg2、A21g，与纯Bi2Se3相比略有偏移。场冷（FC）与零场冷（ZFC）磁化率测量显示的抗磁转变（Tconset）约为2.5K，并在约2.1K以下接近饱和。在2K下测得的等温磁化（MH）显示下临界场（Hc1）约为50Oe，上临界场（Hc2）为900Oe。显然所研究的Nb0.25Bi2Se3是一种体超导体。本文报道了由此计算得到的所生长Nb0.25Bi2Se3单晶的超导临界参数，即相干长度、上下临界场以及超导转变温度。
引用
@article{arxiv.1911.08108,
title = {Superconductivity below 2.5K in Nb0.25Bi2Se3 topological insulator single crystal},
author = {M. M. Sharma and P. Rani and Lina Sang and X. L. Wang and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.08108},
year = {2019}
}
备注
8 Pages including 3 Figs, short Letter MS