块体Sb2Te3拓扑绝缘体的晶体生长与表征

Rabia Sultana; Ganesh Gurjar; S. Patnaik; V. P. S. Awana

块体Sb2Te3拓扑绝缘体的晶体生长与表征

材料科学 2018-04-27 v2 强关联电子超导电性

作者: Rabia Sultana , Ganesh Gurjar , S. Patnaik , V. P. S. Awana

摘要

通过固相反应途径，采用常规自熔剂法，将组成元素(Sb和Te)在高温(850 C)下熔化，随后缓慢冷却(每小时2 C)生长Sb2Te3晶体。利用Hikami-Larkin-Nagaoka (HLN)模型分析并讨论了低温(2.5 K和20 K)下与弱反局域化(WAL)相关的低场(2 Tesla)磁电导。总之，这篇短讯报道了一种简便且通用的块体Sb2Te3拓扑绝缘体(TI)晶体生长方法及其简要物理性质表征。

关键词

Sb2Te3 拓扑绝缘体晶体生长自熔剂法弱反局域化 HLN模型

引用

@article{arxiv.1804.02131,
  title  = {Crystal Growth and Characterization of Bulk Sb2Te3Topological Insulator},
  author = {Rabia Sultana and Ganesh Gurjar and S. Patnaik and V. P. S. Awana},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1804.02131},
  year   = {2018}
}

备注

18 Pages Text + Figs: Accepted Mat. Res. Exp. (May 2018)

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