拓扑绝缘体硒化铋的磁电导建模
材料科学
2021-02-19 v1
摘要
我们报道了Bi2Se3单晶在14特斯拉磁场范围内不同温度下的磁电导分析。单晶采用自熔剂法生长，并通过X射线衍射、扫描电子显微镜和拉曼光谱进行表征。该单晶在14T磁场和5K温度下显示出约380%的磁阻（MR）。采用Hikami Larkin Nagaoka（HLN）方程拟合磁电导（MC）数据。然而，HLN拟合曲线在高于1特斯拉的较高磁场下出现偏离，表明表面驱动的电导作用随磁场增大而受到抑制。本文提出了一个推测模型，包含表面驱动的HLN项以及附加的量子扩散项和体载流子驱动的经典项。该模型成功解释了Bi2Se3单晶在各种温度（5至200K）和施加磁场（高达14特斯拉）下的磁电导。
引用
@article{arxiv.2102.09192,
title = {Modeling of Magneto-Conductivity of Bismuth Selenide -- A Topological Insulator},
author = {Yogesh Kumar and Rabia Sultana and Prince Sharma and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.09192},
year = {2021}
}
备注
19 Pages Text plus Figures: Accepted SN(Springer Nature) Applied Sciences