超导 FeSe 单晶的无助熔剂生长
超导电性
2017-01-24 v2 材料科学
摘要
我们首次报道了通过简便且通用的高温熔融及缓慢冷却方法无助熔剂生长超导 FeSe 单晶。在如此获得的晶体块体表面的室温 XRD 显示了 Beta-FeSe 四方相的单 101 面。通过粉碎部分晶体块体获得的体粉末 XRD 显示了多数四方相和少数 FeSe 六方晶相。详细的 HRTEM 图像连同 SAED（选区电子衍射）显示了多数和少数 FeSe 相的丰富存在。输运（RT）和磁化（MT）均在约 10K 以下表现出超导性。有趣的是，这些晶体的磁化信号由少数磁性相的磁性主导，因此在 4K 时的等温磁化（MH）表现出类似铁磁（FM）的特征。磁场下的输运（R-T）测量显示超导起始温度低于 12K，R = 0（Tc）在 9K。超导转变温度（Tc）随外加场降低，在 7 Tesla 时降至约 6K，dTc/dH 为 0.4K/Tesla，当 Rn 分别为 90、50 和 10 个百分点时，Hc2 值分别约为 50 Tesla、30 Tesla 和 20 Tesla。FeSe 单晶的激活能由热激活磁通流动（TAFF）模型计算得出，发现其随磁场减小。
引用
@article{arxiv.1606.08201,
title = {Flux free growth of superconducting FeSe single crystals},
author = {P. K. Maheshwari and L. M. Joshi and Bhasker Gahtori and A. K. Srivastava and Anurag Gupta and S. P. Patnaik and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08201},
year = {2017}
}
备注
18 Pages Text + Figs