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利用光学区熔技术生长的超导 FeSe1-xTex 单晶

超导电性 2009-11-16 v1

摘要

我们成功采用了一种利用光学区熔技术生长 FeSe1-xTex 单晶的新方法。实际成分为 0.4<x<1.00.4 < x < 1.0 的晶体均表现出高结晶度且无相分离。能够直接观察局部加热熔体,以及光像炉易于使用和控制,使得该方法成为一种极具前景且高效获取高质量 FeSe1-xTex 晶体的途径。我们的结果表明,通过适当的热处理,可以有效消除晶格中 Se 和 Te 原子的非均匀分布,同时超导转变宽度可降至约 2 K,这表明晶体本质上是均匀的。

关键词

引用

@article{arxiv.0908.2855,
  title  = {Superconducting FeSe1-xTex Single Crystals Grown by Optical Zone-Melting Technique},
  author = {K. W. Yeh and C. T. Ke and T. W. Huang and T. K. Chen and Y. L. Huang and P. M. Wu and M. K. Wu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0908.2855},
  year   = {2009}
}

备注

To appear in Crystal Growth and Design